Pat
J-GLOBAL ID：200903013473614111
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991283240
Publication number (International publication number)：1993036719
Application date： Oct. 29, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 三重拡散構造を有するソース/ドレイン領域の低濃度不純物層を、熱拡散のための熱処理を必要とすることなく、形成するとともに、ゲート電極と精度よくオーバーラップさせる。【構成】 まずp型の半導体基板11上に形成したゲート電極14をマスクとして、n型不純物を半導体基板表面に対して所定の角度をなして斜め方向から注入することにより、低濃度不純物層15c,16cを形成する。その後、ゲート電極の側壁に、サイドウォールスペーサ17を形成した後、n型の不純物を、斜め方向から注入することにより、中濃度不純物層15b,16bを形成する。その後さらに、n型の不純物を、半導体基板表面に対して略垂直の方向から注入することにより、高濃度不純物層15a,16aを形成する。
Claim (excerpt)：
第1導電型の半導体基板上に、ゲート絶縁膜を介在させて、ゲート電極を形成する工程と、このゲート電極の側壁に、サイドウォールスペーサを形成する工程と、前記ゲート電極および前記サイドウォールスペーサをマスクとして、第2導電型の不純物を、前記半導体基板表面に対して所定の傾斜角をなして斜め方向から注入することにより、低濃度不純物拡散層を形成する工程と、前記ゲート電極および前記サイドウォールスペーサをマスクとして、第2導電型の不純物を、前記半導体基板表面に対して略垂直な方向から注入することにより、高濃度不純物拡散層を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/265
, H01L 27/092
H01L 29/78 301 Y
, H01L 21/265 V
, H01L 21/265 L
, H01L 27/08 321 E
, H01L 29/78 301 L
Cited by examiner (5)
Show all
Return to Previous Page
