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J-GLOBAL ID：200903013490398139

酸化物薄膜およびその作製方法

Inventor： 森山 弘朗 ,  梨本 恵一
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 渡部 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995290732
Publication number (International publication number)：1996245263
Application date： Nov. 09, 1995
Publication date： Sep. 24, 1996
Summary：

【要約】【課題】 有機金属化合物を用いて基板上に形成された、薄膜キャパシター、圧電体、焦電体等に利用可能な、均一で化学的量論性に優れ、リーク電流の小さい酸化物薄膜及びその安定した作製方法を提供する。【解決手段】 一般式:ABO3 (式中、Aは IA族、IIA族、III A族、IVB族及びVB族から選択される元素、BはIVA族およびVA族から選択される元素)で示される酸化物薄膜であって、該薄膜がアモルファス相又は超微粒子相中に結晶粒子が分散した構造を有する。また、その作製方法は、元素Aの金属アルコキシド化合物及び元素Bの金属アルコキシド化合物の有機溶媒溶液(1) と該溶液に水、又は水及び触媒を加えた溶液(2) とを、溶液(1) 中の金属アルコキシド化合物濃度と溶液(2) 中の金属アルコキシド化合物濃度が、モル比で1:0.01〜1:100となるように混合した溶液を、基板上に塗布して得られた薄膜を熱処理する。

Claim (excerpt)：

一般式:ABO3 (式中、Aは周期律表 IA族、IIA族、III A族、IVB族およびVB族から選択される元素、Bは周期律表IVA族およびVA族から選択される元素)で示される酸化物薄膜において、該酸化物薄膜が、アモルファス相中または超微粒子相中に結晶粒子が分散された構造を有していることを特徴とする酸化物薄膜。

IPC (8)：

C04B 35/46 ,  B05D 7/24 302 ,  C01B 13/00 ,  C01B 13/32 ,  C01G 23/00 ,  H01B 3/12 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/10

FI (9)：

C04B 35/46 C ,  B05D 7/24 302 Z ,  C01B 13/00 ,  C01B 13/32 ,  C01G 23/00 C ,  H01B 3/12 ,  C04B 35/46 J ,  H01G 4/06 102 ,  H01G 4/10