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J-GLOBAL ID:200903013490453172
半導体圧力センサ
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大菅 義之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991153097
Publication number (International publication number):1993001962
Application date: Jun. 25, 1991
Publication date: Jan. 08, 1993
Summary:
【要約】【目的】 本発明は2重ダイヤフラム方式による半導体圧力センサに関するものであり、小型かつ軽量で優れた特性を有する半導体圧力センサを提供することを目的とするものである。【構成】 本発明は、表面部の所定の位置に複数の電極24を配置して成る感圧素子21と、この感圧素子21の表面部に配置された複数の電極24の位置とそれぞれ対応する位置に複数の外部リード28を配置して成るハーメチックシール端子26とを有しており、感圧素子21の表面部における複数の電極24とハーメチックシール端子26における複数の外部リード28のそれぞれの上端部とを両者の対応を図りながらそれぞれ接合して成ることを特徴とするものである。
Claim (excerpt):
表面部の所定の位置に複数の電極を配置して成る感圧素子と、該感圧素子の表面部に配置された複数の電極の位置とそれぞれ対応する位置に複数の外部リードを配置して成るハーメチックシール端子とを有しており、前記感圧素子の表面部における複数の電極と前記ハーメチックシール端子における複数の外部リードのそれぞれの上端部とを両者の対応を図りながらそれぞれ接合して成ることを特徴とする半導体圧力センサ。
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