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J-GLOBAL ID：200903013491703431

電界放射素子の製造方法

Inventor： 堀端 慎二 ,  由良 信介 ,  森川 和敏
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992010044
Publication number (International publication number)：1993205615
Application date： Jan. 23, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 電界放射素子の特性のバラツキと放射電流の経時変化を抑え、低電圧での電子放射を可能にする。【構成】 集束ビームを用いた直接エッチング、直接堆積により電界放射素子を製作する。

Claim (excerpt)：

電子を放射するエミッタと、このエミッタに引出し電界を印加するゲート電極及びエミッタとゲート電極を分離する絶縁層で構成された電界放射素子において、集束ビームを用いてゲート層、絶縁層をエッチングして円筒形状のゲート穴部を形成し、その後集束ビームを用いてゲート穴部にエミッタを堆積形成することを特徴とする電界放射素子の製造方法。

IPC (4)：

H01J 9/02 ,  H01J 27/26 ,  H01J 31/00 ,  H01J 37/073