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J-GLOBAL ID：200903013495791980

窒化物半導体から成る単体基板及びその製造方法

Inventor：
蝶々 一幸

About 蝶々 一幸

, 
森田 大介

About 森田 大介


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001239835
Publication number (International publication number)：2003055097
Application date： Aug. 07, 2001
Publication date： Feb. 26, 2003
Summary：
【要約】【課題】 発光ダイオード、レーザダイオード等の発光素子、あるいは太陽電池、光センサー等の受光素子に使用される窒化物半導体に係わり、特に窒化物半導体よりなる基板の結晶欠陥を低減させ、結晶性に優れた窒化物半導体基板に関する。【解決手段】 支持基板上に、部分的にストライプ状又は格子状の保護膜を形成し、前記支持基板露出部より保護膜上に第1の窒化物半導体を横方向成長させて前記保護膜を覆わない状態で止め、保護膜を除去することにより横方向成長した第1の窒化物半導体の下部に空間を形成し、その後、第1の窒化物半導体の上面、又は上面及び横方向成長部分である側面より第2の窒化物半導体を成長させ、さらにその上に第3の窒化物半導体を成長し、その後、支持基板を除去する。
Claim (excerpt)：
支持基板と、前記支持基板表面の周期的なストライプ状、格子状、又は島状の部分を成長起点として横方向成長し、互いに接合する前に横方向成長を停止することにより周期配列されたT字状断面を有する第1の窒化物半導体と、前記第1の窒化物半導体の上面、又は上面及び横方向成長した側面を核として成長し、支持基板全面を覆う第2の窒化物半導体と、前記第2の窒化物半導体上に膜厚が300μm以上の第3の窒化物半導体とを備え、前記第2の窒化物半導体が互いに接合する部分の下に形成されている空間より支持基板を分離除去していることを特徴とする窒化物半導体基板。
IPC (5)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/201 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (5)：
C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/201 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
F-Term (44)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC12 ,  4G077TC17 ,  4G077TC19 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB01 ,  5F045DQ08 ,  5F045GH09 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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