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J-GLOBAL ID：200903013510795911

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 楠 雅統 ,  森 孝二 ,  近藤 信昭
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992162074
Publication number (International publication number)：1993335337
Application date： May. 28, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】 絶縁膜と半導体薄膜との界面に金属や重金属などの不純物が存在しない高品質の薄膜トランジスタを、簡便なプロセスで製造する方法を提供する。【構成】 アニール室1においてガラス基板上に多結晶シリコン膜を形成したのち、このシリコン膜上にシリコン酸化膜(ゲート絶縁膜)を形成する直前に、ガラス基板をクリーニング室2に移動させ高純度の塩素ガス中でレーザ光照射装置4によりArFエキシマレーザを照射し、多結晶シリコン膜上の金属不純物を塩化物として除去する。

Claim (excerpt)：

少なくとも表面が絶縁物質である基板上に形成された半導体薄膜を活性層として有する薄膜トランジスタを形成するにあたり、前記半導体薄膜上にゲート絶縁膜を成膜する直前に、光エネルギーを用いて、前記半導体薄膜上の不純物を除去することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 27/12