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J-GLOBAL ID：200903013514818398

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 齋田 繁彦 ,  田中 正幸 ,  藤原 実
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000185678
Publication number (International publication number)：2002009278
Application date： Jun. 21, 2000
Publication date： Jan. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】 トランジスタ近傍に窒化膜が存在しても、シリコン酸化膜中のヒ素の増速拡散やシリコン基板中のヒ素の増速拡散を起こさない、またトンネル酸化膜の劣化を引き起こすことの無い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 SiH2Cl2を原料ガスとして使用し、高温にて成膜を行うことにより、また原料ガスとして四塩化シリコンを使用して、Si-H結合の無いシリコン窒化膜13を形成できる。また、低温で窒化膜成膜後に成膜温度より高い温度でアニールを行うことにより窒化膜中の水素を一旦脱離した後、高温工程を行うことでSi-H結合の影響を抑制できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極周囲にSiCl4を原料ガスとしてシリコン窒化膜を成膜する工程と、半導体基板中にソース、ドレイン領域を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (10)：

H01L 29/78 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (7)：

C23C 16/34 ,  H01L 21/318 B ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 371

F-Term (66)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA24 ,  4K030BA35 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  5F001AA25 ,  5F001AA30 ,  5F001AA43 ,  5F001AB08 ,  5F001AD94 ,  5F001AF06 ,  5F001AF07 ,  5F001AG02 ,  5F001AG03 ,  5F001AG21 ,  5F001AG30 ,  5F040DA06 ,  5F040DB03 ,  5F040DC01 ,  5F040EA08 ,  5F040EC07 ,  5F040ED03 ,  5F040EF02 ,  5F040FA05 ,  5F040FA07 ,  5F040FA12 ,  5F040FA16 ,  5F040FB02 ,  5F040FC21 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BC06 ,  5F048BE10 ,  5F048BG13 ,  5F048BG14 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BF02 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ01 ,  5F083EP04 ,  5F083EP23 ,  5F083EP27 ,  5F083EP55 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083GA25 ,  5F083JA04 ,  5F083JA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33