Pat

J-GLOBAL ID：200903013518431730

フィールドエミッタ素子の製造方法

Inventor： 柳澤 正明
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997220413
Publication number (International publication number)：1999067068
Application date： Aug. 15, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ゲート電極の開口部の基板にダイヤモンド膜を選択的に析出させることにより工程を簡略化し、低コスト化を図る。【解決手段】 基板上に開口部をもった電極板を、その基板と電気絶縁して重ねる。ゲート電極板表面を予めダイヤモンドの核形成を阻害する処理を施しておき、この状態でダイヤモンド膜を析出させることにより、ダイヤモンド膜がゲート電極の開口部内の基板に選択的に析出させるようにした構成からなる。

Claim (excerpt)：

基板上に開口部をもったゲート電極板を、該基板と電気絶縁して重ね、その後導電性ダイヤモンド膜を基板上に析出させるに際して、予めゲート電極にダイヤモンドの核形成を阻害する処理を施すことにより、ゲート電極開口部の基板上に導電性ダイヤモンド膜を選択的に気相析出させることを特徴とするフィールドエミッタ素子の製造方法。