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J-GLOBAL ID：200903013518893068

半導体装置の製造方法

Inventor： 三谷 康弘 ,  田仲 広久
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993065577
Publication number (International publication number)：1994275645
Application date： Mar. 24, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】 シリサイドを形成するためのアニール処理工程の短縮。【構成】 基板1上に半導体層を積層し、該半導体層上に所望パターンの金属層107を形成したあと、該金属層107を介して半導体層に不純物イオン100の注入を行い不純物半導体層(6a及び6b)を形成し、かつ同時に該不純物半導体層(6a及び6b)の表面層に金属シリサイド層(7a及び7b)を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

基板上に半導体層を積層し、該半導体層上に所望パターンの金属層を形成したあと、該金属層を介して半導体層に不純物イオンの注入を行い不純物半導体層を形成し、かつ同時に該不純物半導体層の表面層に金属シリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/40 ,  H01L 29/46

FI (3)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 21/265 A ,  H01L 21/265 H