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J-GLOBAL ID：200903013538126187

半導体シリコン単結晶ウェーハの研磨方法

Inventor： 渡▼邊▲ 浩一郎
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 石原 詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998214171
Publication number (International publication number)：2000049125
Application date： Jul. 29, 1998
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】研磨後に電解カソード水を用いてウェーハ面の水研磨を行うことによって研磨剤を用いた研磨時に発生した研磨剤やシリコン屑、酸化膜の研磨屑等に起因するパーティクルを、ウェーハ面をエッチングすることなく、効率よく除去することができるようにした半導体シリコン単結晶ウェーハの研磨方法を提供する。【解決手段】半導体シリコン単結晶ウェーハに対して研磨剤を用いた研磨を行った後、電解カソード水を用いた水研磨を行うことによってパーティクルを除去するようにした。

Claim (excerpt)：

半導体シリコン単結晶ウェーハに対して研磨剤を用いた研磨を行った後、電解カソード水を用いた水研磨を行うことによってパーティクルを除去することを特徴とする半導体シリコン単結晶ウェーハの研磨方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 1/00

FI (3)：

H01L 21/304 622 P ,  H01L 21/304 622 C ,  B24B 1/00 A

F-Term (6)：

3C049AA01 ,  3C049AA03 ,  3C049AA09 ,  3C049AC04 ,  3C049CA01 ,  3C049CB03