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J-GLOBAL ID：200903013543674257

酸化物薄膜の製造装置及びその製造方法

Inventor： 清利 正弘 ,  江口 和弘
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996053189
Publication number (International publication number)：1997241849
Application date： Mar. 11, 1996
Publication date： Sep. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】金属酸化物薄膜をCVDにより安定的に成膜できるようにすること。【解決手段】高い誘電率を発現する金属複合酸化物などの薄膜を概構成金属元素の有機化合物液体原料、または概構成金属元素の有機化合物固体を有機溶剤に溶かして得られた液体原料を気化して得られる蒸気を用いで化学的気相成長法(CVD)により形成する装置として、金属酸化物薄膜形成に用いるための液体原料を収納する複数の容器101 〜103 と、これら容器からの液体原料を圧送する手段104と、圧送されてくるこれら容器からの液体原料の流量を各別に制御する流量制御装置105 〜107 と、該流量制御装置を介して各別に供給される液体原料をそれぞれその液体原料対応の最適温度で各別に気化させる気化装置108,109,112 と、これら気化装置からの気化原料を混合して反応容器121 に供給するミキサー120 とから構成する。

Claim (excerpt)：

金属酸化物薄膜形成に用いるための液体原料を収納する複数の容器と、これら容器からの液体原料を圧送する加圧手段と、圧送されてくるこれら容器からの液体原料の流量を各別に制御する流量制御装置と、該流量制御装置を介して各別に供給される液体原料をそれぞれその液体原料対応の最適温度で各別に気化させる気化装置と、これら気化装置からの気化原料を混合して反応容器に供給するミキサーとから構成されることを特徴とする酸化物薄膜の製造装置。

IPC (6)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/205

FI (5)：

C23C 16/44 C ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/10 651