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J-GLOBAL ID：200903013545764989

半導体基板および半導体素子

Inventor： 北畠 真
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 大前 要
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998227004
Publication number (International publication number)：1999121748
Application date： Aug. 11, 1998
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高耐圧で、電流容量も大きい半導体素子を形成する。【解決手段】 MOSトランジスタは、SiC基板12の表面にSi薄膜13をヘテロエピタキシャル成長させた半導体基板11を用いて構成されている。ソース電極38およびドレイン電極34は、上記SiC基板12が出力電流経路中に介在するように設けられている。

Claim (excerpt)：

電気伝導性の炭化珪素結晶の表面に結晶成長させた珪素薄膜を含むことを特徴とする半導体基板。

IPC (7)：

H01L 29/78 ,  C30B 29/06 504 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/161 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (7)：

H01L 29/78 652 T ,  C30B 29/06 504 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 F ,  H01L 29/163 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/78 301 B