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J-GLOBAL ID：200903013546543331

半導体ウェーハの研磨方法および研磨装置

Inventor： 平井 徳美
Applicant, Patent owner： 住友シチックス株式会社
Agent (1)： 森 正澄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993190149
Publication number (International publication number)：1995040231
Application date： Jul. 30, 1993
Publication date： Feb. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ホルダプレートの形状と研磨中に変化する研磨部材の形状とのアンバランスをなくし、半導体ウェーハの研磨精度を向上する。【構成】 加圧用のホルダプレートに貼着された半導体ウェーハを、表面にクロス等の研磨材が設けられた下定盤に向け、加圧手段により加圧盤を介して前記ホルダプレートに加圧力を付与することにより、半導体ウェーハを研磨する半導体ウェーハの研磨方法であって、前記加圧盤に設けられ前記ホルダプレートの周縁部に加圧力を付与する弾性部材と、前記加圧盤に設けられ前記ホルダプレートの中央部に加圧力を付与する中央部加圧手段とを設け、前記加圧手段および前記加圧盤の中央部に設けられた中央部加圧手段により、前記研磨部材の形状変化に対応して、前記ホルダプレートの周縁部および前記ホルダプレートの中央部に付与される加圧力を制御しながら半導体ウェーハの研磨を行なう構成とされている。

Claim (excerpt)：

加圧用のホルダプレートに貼着された半導体ウェーハを、表面にクロス等の研磨材が設けられた下定盤に向け、加圧手段により加圧盤を介して前記ホルダプレートに加圧力を付与することにより、半導体ウェーハを研磨する半導体ウェーハの研磨方法であって、前記ホルダプレートの周縁部および前記ホルダプレートの中央部に付与される加圧力を、前記加圧手段および前記加圧盤の中央部に設けられた中央部加圧手段により、前記研磨部材の形状変化に対応して、制御しながら半導体ウェーハの研磨を行なうことを特徴とする半導体ウェーハの研磨方法。

IPC (3)：

B24B 37/00 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/304 321