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J-GLOBAL ID：200903013549927483

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Inventor： 輿石 公 ,  廣瀬 潤 ,  小笠原 正宏 ,  平野 太一 ,  佐々木 寛充 ,  吉田 哲雄 ,  斎藤 道茂 ,  石原 博之 ,  大藪 淳 ,  沼田 幸治
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 佐々木 聖孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003358432
Publication number (International publication number)：2004193567
Application date： Oct. 17, 2003
Publication date： Jul. 08, 2004
Summary：

【課題】 ラジカルとイオンとを同時に作用させるプラズマ処理の最適化を可能とすること。【解決手段】 このプラズマエッチング装置では、外側上部電極36と内側上部電極38との間で電界強度の比率を可変することによって行なわれるプラズマ密度空間分布の制御が、中心シャワーヘッド(62,56a)と周辺シャワーヘッド(64,56a)との間で処理ガスの流量の比率を可変することによって行なわれるラジカル密度空間分布の制御に実質的な影響を及ぼさない。つまり、上記中心シャワーヘッドと上記周辺シャワーヘッドより噴出される処理ガスの解離が内側上部電極38直下のエリア内で行なわれるため、内側上部電極38と外側上部電極36との間で電界強度のバランスを変えても、ラジカル密度の空間分布にはさほど影響しない。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

処理ガスをプラズマ化し、プラズマに曝される被処理体に所望の微細加工を施すプラズマ処理方法であって、 前記被処理体に対して前記プラズマの密度の空間分布と前記プラズマ中のラジカルの密度の空間分布とを独立に制御して、前記被処理体の被処理面全体にわたって所望の処理状態を得るプラズマ処理方法。

IPC (5)：

H01L21/3065 ,  B08B7/00 ,  C23F4/00 ,  H01L21/304 ,  H05H1/46

FI (5)：

H01L21/302 101B ,  B08B7/00 ,  C23F4/00 A ,  H01L21/304 645C ,  H05H1/46 M

F-Term (25)：

3B116AA03 ,  3B116AA04 ,  3B116AB01 ,  3B116BB82 ,  3B116BC01 ,  4K057DA12 ,  4K057DA20 ,  4K057DD01 ,  4K057DE06 ,  4K057DG06 ,  4K057DM01 ,  4K057DM06 ,  4K057DM18 ,  4K057DM37 ,  5F004AA01 ,  5F004BA05 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004DA00 ,  5F004DA15 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• プラズマ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-209489   Applicant：東京エレクトロン株式会社