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J-GLOBAL ID：200903013562662065

配線プラグの形成方法

Inventor： 長山 哲治
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995326517
Publication number (International publication number)：1997148438
Application date： Nov. 21, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】 プラグロスを形成させないようにした配線プラグの形成方法を提供することである。【解決手段】 本配線プラグの形成方法は、基板表面上に成膜したSiO2 絶縁膜に接続孔を形成し、接続孔内及び絶縁膜上全面に配線材でブランケット層を成膜し、次いで絶縁膜上のブランケット層をエッチングして接続孔を埋める配線プラグを形成するようにした配線プラグの形成方法において、主としてS(硫黄)含有物質で形成されている表層をチャンバ内壁面及びチャンバ内に設けられた部品の露出面に有するチャンバを備えたプラズマエッチング装置を使用して、ブランケット層48をエッチングする。これにより、配線欠陥の無い配線層及びスタックドコンタクト構造の配線層を形成することができる。

Claim (excerpt)：

基板表面上に成膜したSiO2 絶縁膜に接続孔を形成し、接続孔内及び絶縁膜上全面に配線材でブランケット層を成膜し、次いで絶縁膜上のブランケット層をエッチングして接続孔を埋める配線プラグを形成するようにした配線プラグの形成方法において、主としてS(硫黄)含有物質で形成されている表層をチャンバ内壁面及びチャンバ内に設けられた部品の露出面に有するチャンバを備えたプラズマエッチング装置を使用して、ブランケット層をエッチングすることを特徴とする配線プラグの形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/768 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/28 ,  H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/90 C ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/28 E ,  H05H 1/46 C