Pat

J-GLOBAL ID：200903013563945370

半導体および半導体装置の作製方法

Inventor： 高山 徹 ,  張 宏勇 ,  山崎 舜平 ,  竹村 保彦
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993039499
Publication number (International publication number)：1994232059
Application date： Feb. 03, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 アモルファスシリコンの結晶化温度を下げ、結晶化時間を短縮する方法、および該方法を用いて薄膜トランジスタを作製する方法を提供する。【構成】 下地絶縁膜(例えば、酸化珪素膜22)を堆積した後、プラズマ雰囲気にさらすことによってプラズマ処理をおこない、その後、アモルファスシリコン膜25を堆積し、450〜600°Cで結晶化させる。また、選択的にプラズマ雰囲気にさらすことによって、結晶核の生じる部分を制御し、よって良好な結晶性を有する部分26を任意に形成し、これを薄膜トランジスタに用いる。

Claim (excerpt)：

基板に絶縁被膜を形成する工程と、前記絶縁被膜をプラズマにさらす工程と、前記工程後、前記絶縁被膜上にアモルファス状態のシリコン膜を形成する工程と、前記シリコン膜を400°C〜600°Cで処理する工程を有することを特徴とする半導体の作製方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平2-268418
  
• 特開平4-137525
  
• 特開平3-050821