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J-GLOBAL ID：200903013566992809

半導体装置の作製方法

Inventor： 山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999121154
Publication number (International publication number)：1999354518
Application date： Jul. 24, 1990
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 特性、信頼性のよいキャパシタを有する半導体装置を作製する方法を提供する。【解決手段】トランジスタが形成された基板上に、前記トランジスタに接続された第1の電極を形成する工程と、窒素濃度が75%以上の気体を用いたスパッタリング法により、前記第1の電極上に窒化物でなる誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層の上に第2の電極を形成する工程と、を有する。

Claim (excerpt)：

トランジスタが形成された基板上に、前記トランジスタに接続された第1の電極を形成する工程と、窒素濃度が75%以上の気体を用いたスパッタリング法により、前記第1の電極上に窒化物層を形成する工程と、前記窒化物層の上に第2の電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (6)：

H01L 21/318 ,  C23C 14/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4)：

H01L 21/318 B ,  C23C 14/06 A ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭60-005555
  
• 特開平1-218054
  
• 特開昭62-056570