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J-GLOBAL ID：200903013580210279

半導体装置の製造方法

Inventor： 三谷 祐一郎 ,  水島 一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995237438
Publication number (International publication number)：1997082957
Application date： Sep. 14, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、拡散層領域にのみアモルファスシリコンを選択的に堆積し、ファセットによる膜厚の減少を阻止して拡散層の厚みを実効的に増加させ、もって、トランジスタ特性の信頼性の向上を図る。【解決手段】 ゲート部、ソース領域及びドレイン領域を形成し、形成されたソース領域及びドレイン領域上に夫々アモルファスシリコンを選択的に堆積させる半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一主面上にMOS構造を有する半導体装置の製造方法において、ゲート部、ソース領域、ドレイン領域を形成する工程と、前記形成されたソース領域及びドレイン領域上に夫々アモルファスシリコンを選択的に堆積させる工程とを含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28

FI (4)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/28 301 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-163942
  
• トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-264058   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 特開昭62-131514