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J-GLOBAL ID:200903013580488412

遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 萩野 平 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998327054
Publication number (International publication number):2000147776
Application date: Nov. 17, 1998
Publication date: May. 26, 2000
Summary:
【要約】【課題】 形成されるレジストパターンの粗密依存性が良好であって、且つ短波長光源に対して感度が優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】(イ)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、並びに(ロ)特定の脂環式炭化水素構造を含む基で保護されたアルカリ可溶性基及びスルホンアミド基を含み、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂を含有する遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。
Claim (excerpt):
(イ)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、並びに(ロ)下記一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環式炭化水素構造を含む基のうち少なくとも1つで保護されたアルカリ可溶性基及び一般式(qI):-A-X-R5で表される基を含み、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。【化1】一般式(pI)〜(pVI)中;R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。R22〜R25は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。一般式(qI)中;Aは、単結合、アルキレン基、置換アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基及びエステル基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。Xは、-NHSO2 -、-SO2NH-、-SO2NHSO2-、-NH(C=O)NHSO2-、-(C=O)NHSO2-、-SO2NH(C=O)-、-SO2NH(C=O)NH-、-O(C=O)NHSO2-又は-SO2NH(C=O)O-を表す。R5は、アルキル基、置換アルキル基、脂環式炭化水素基又は置換脂環式炭化水素基を表す。
IPC (2):
G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (2):
G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (12):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB42

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