Pat
J-GLOBAL ID：200903013581332190
位相シフトマスク及び位相シフトマスクを用いた露光方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993034875
Publication number (International publication number)：1994230556
Application date： Jan. 30, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：
【要約】【目的】 補助パターン方式、エッジ強調方式及びハーフトーン方式の各位相シフト露光技術の欠点を除去し、描画における精度制御を良好にし、線幅制御性を良くし、透過型欠陥などの問題を解決した位相シフト露光技術を提供する。【構成】 遮光領域13及び第1の光透過部10と、両者10,13の間に形成された第2の光透過部12とを備え、該第2の光透過部の光透過率が0より大きくかつ被露光感光性組成物を感光させない程度に小さく、かつ第2の光透過部の位相が第1の光透過部と位相を異ならせた位相シフト部分であり、必要に応じ第2の光透過部12の一部分に、第3の部分を形成した位相シフトマスク、及びこれを用いた露光方法。
Claim (excerpt)：
遮光領域、及び、第1の光透過部と、該第1の光透過部と遮光領域との間に形成された第2の光透過部とを備え、該第2の光透過部の光透過率が0より大きくかつ被露光感光性組成物を感光させない程度に小さく、かつ第2の光透過部の位相が第1の光透過部と位相を異ならせた位相シフト部分であることを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (3)：
G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (8)
Show all
Return to Previous Page
