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J-GLOBAL ID：200903013581511566

シリコン単結晶の製造装置および製造方法

Inventor： 肥後 信司
Applicant, Patent owner： コマツ電子金属株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993296109
Publication number (International publication number)：1995133186
Application date： Nov. 01, 1993
Publication date： May. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 軸方向酸素濃度分布の均一な単結晶、あるいは酸素濃度の低い単結晶を得ることができるようなシリコン単結晶の製造装置および製造方法を提供する。【構成】 輻射温度計13で測定した融液10の表面温度と、熱電対4で測定したるつぼ3の底面温度とを制御部14に入力し、融液10の上下温度差を求める。単結晶中の酸素濃度と前記温度差との相関に基づいてあらかじめ設定した温度差プロファイルに従うように、下部ヒータ8の出力または水冷式下部クーラ9の流量、輻射熱反射板6の位置、輻射熱反射板保温材7の位置のいずれか一つ以上あるいはるつぼ3の位置を制御する。これにより融液10の自然対流が制御され、酸素濃度分布の均一な単結晶、あるいは酸素濃度が低く、濃度分布の均一な単結晶が得られる。

Claim (excerpt)：

るつぼの下方に位置する出力可変の下部ヒータまたは下部クーラ、融液上方に位置する昇降自在の輻射熱反射板、前記輻射熱反射板を取り囲むように位置する昇降自在の輻射熱反射板保温材のいずれか一つ以上と、融液上部および融液下部の温度測定手段と、前記二つの測定値に基づいて融液の上下温度差を算出する手段と、算出した前記温度差の値とあらかじめ定めた温度差プロファイルとを比較する手段と、前記比較結果に基づいて下部ヒータまたは下部クーラの出力、輻射熱反射板の位置、輻射熱反射板保温材の位置あるいはるつぼの位置を制御する手段を備えたことを特徴とするシリコン単結晶の製造装置。

IPC (4)：

C30B 15/20 ,  C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208