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J-GLOBAL ID:200903013581735502

反射型表示素子、投射型表示装置および基板の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998133843
Publication number (International publication number):1999326931
Application date: May. 15, 1998
Publication date: Nov. 26, 1999
Summary:
【要約】【課題】反射型液晶表示素子15を得る。【解決手段】透光性光学媒体からなる表電極基板2と裏電極基板5間に、屈折率nの透光性誘電体膜3および透明電極層4の凹凸面(ピッチP=2.4μm、平均高さd=90nmの周期構造をなす)、光変調材料1、反射機能層6を有し、入射光束の中心波長λ=520nm、中心入射角θ=5°とすると、凹凸面での反射光路の位相差φ=4π・n・d・cosθ/λ=π、λ≦P≦30λを満足する。
Claim (excerpt):
透明電極層を有する表電極基板と、反射機能層を有する裏電極基板との間に透過・散乱型または透過・吸収型の動作モードを有する光変調層が挟持され、表電極基板の内面側に凹凸面が形成され、凹凸面にはピッチPおよび平均高さdの周期構造が備えられた反射型表示素子において、表側から入射される入射光束の中心波長をλとし、中心波長λに対して凹凸面の隣接する凹部で反射せしめられて表側に戻る第1の反射光路と、凸部で反射せしめられて表側に戻る第2の反射光路との位相差をφとすると、λ≦P≦30λ、かつ、φ≒(2M+1)・π(但し、Mは0または正の整数)を満足することを特徴とする反射型表示素子。
IPC (3):
G02F 1/1343 ,  G02F 1/1333 ,  G02F 1/1335
FI (3):
G02F 1/1343 ,  G02F 1/1333 ,  G02F 1/1335
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 反射型液晶表示素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-268473   Applicant:株式会社東芝
  • 反射型液晶表示装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-203993   Applicant:セイコーエプソン株式会社
  • 特開平3-289625
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