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J-GLOBAL ID：200903013593811212

半導体レーザ素子

Inventor： 田中 俊明 ,  内田 憲治 ,  渡辺 明禎 ,  赤松 正一 ,  皆川 重量
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995151302
Publication number (International publication number)：1997008395
Application date： Jun. 19, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、特にこれまで導波路や共振器の形成が困難であったNitride材料において、半導体レーザに適する導波路共振構造を形成することにより、青紫色波長領域のレーザ動作を実現させることにある。【構成】絶縁膜マスクパターン4を形成して、選択成長技術により、(0001)C面を有するサファイア基板1上にAlGaInN材料からなる導波路共振構造を作製する。このとき、導波路側面は、基板に対して垂直な平滑面にでき、発光活性層を光導波層に埋め込んだ形であるBH構造を構成できる。Nitride材料からなる導波路はサファイア基板の(11-20)A面に平行な方向に形成しておき、電極9,10を蒸着した後、基板の(11-20)A面に対して垂直な方向に劈開して素子を得る。【効果】本発明によれば、電流注入により410〜430nmの波長範囲でレーザ発振を実現できる。

Claim (excerpt)：

単結晶基板上に設けた発光素子の光導波路構造において、該光導波路は矩形状の断面形状を有したストライプ構造からなり、基板面と平行な該導波路上面は一様に平坦な面であり、該導波路側面は基板に対して垂直でかつ一様な平滑面となっており、該光導波路構造内部では禁制帯幅の小さな発光層が禁制帯幅の大きな光導波層に埋め込まれた形を有しており、キャリアを注入して閉じ込める発光活性層を該導波路上面に形成させて、横方向の実屈折率差を設けることにより横モードが安定に導波される埋め込み型ストライプ構造を構成していることを特徴とする半導体レーザ素子。