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J-GLOBAL ID：200903013613855009

電界効果型化合物半導体装置

Inventor： 市川 博一 ,  梅本 康成 ,  森 光廣 ,  小野 秀行
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994277399
Publication number (International publication number)：1996139106
Application date： Nov. 11, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：

【要約】【目的】 チャネル層3に引っ張り性の接線応力が作用する事を防ぐ。【構成】 ゲート電極5の方向を3-5化合物の(1 0 0)面上の〔0 1 1〕方向にとり、チャネル層3の上に、ゲート電極5、ソース電極7、ドレイン電極8がある。ゲート電極5の上に層間絶縁膜12が接し、層間絶縁膜12の圧縮性の内部応力はゲート電極5の引っ張り性の内部応力を抑える。【効果】 電界効果型化合物半導体装置のソース抵抗の低減およびしきい電圧の温度変化の低減がはかられる。

Claim (excerpt)：

チャネル層の上方に接し、または、上方にソース電極、ドレイン電極、ゲート電極があり、前記チャネル層としてn型3-5化合物半導体を用い、前記ゲート電極として引っ張り性の内部応力を持つ金属膜を用い、前記ゲート電極の方向を3-5化合物の(1 0 0)面上の〔0 1 1〕方向にとり、前記ゲート電極に発生する内部応力と反対方向である圧縮性の内部応力を持つ絶縁体膜が前記ゲート電極上に接している事を特徴とする電界効果型化合物半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778

FI (2)：

H01L 29/80 B ,  H01L 29/80 H