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J-GLOBAL ID：200903013628631735

化学気相成長装置

Inventor： 土井 伸昭 ,  蔦原 晃一郎
Applicant, Patent owner： 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 ,  三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992041164
Publication number (International publication number)：1993243156
Application date： Feb. 27, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 この発明は装置を簡単にしながら、半導体ウエハに形成される薄膜の膜厚を均一化でき、安価で高性能な化学気相成長装置を提供する。【構成】 ウエハステージ1と、このウエハステージ1の上に置かれた半導体ウエハ6の表面に対向して多数個の反応ガス噴出孔5が設けられたガスヘッド4を有し、かつ、前記ウエハステージ1とガスヘッド4との相対位置関係が水平方向に回転するとともに、前記反応ガス噴出孔5の孔ピッチ分だけ半導体ウエハ主面と平行に往復移動する。

Claim (excerpt)：

ウエハステージと、このウエハステージに設けられた半導体ウエハの表面に対向して多数個の反応ガス噴出孔を有するガスヘッドとを備えてなる化学気相成長装置において、前記ウエハステージに設けられた回転機構によってウエハステージが回転するとともに、ガスヘッドに設けられた平行移動機構によって、ガスヘッドが前記ウエハステージと平行に往復移動できるようになっていることを特徴とする化学気相成長装置。