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J-GLOBAL ID：200903013629839801

半導体装置

Inventor： 上条 浩幸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 諸田 英二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991181533
Publication number (International publication number)：1993007003
Application date： Jun. 27, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】MOSFETを構成素子とする半導体装置の集積度向上に対し、微細加工技術への依存度を軽減し、容易に集積度を向上させることのできる半導体装置を提供することを目的とする。【構成】本発明の半導体装置は、ソース、チャネル領域、ドレインを基板の厚さ方向に並べて形成した縦型MOSFETを具備し、これにより、素子形成に必要な基板表面の面積を低減する。又チャネル領域が形成される半導体は、アモルファスシリコンを再結晶化した多結晶シリコンか単結晶シリコンとすることが望ましい。縦型MOSFETのソース、ドレインのいずれか一方を基板に形成することもできる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、MOSFETを構成するソース、チャネル領域、ドレインが前記基板の厚さ方向に並んで形成されているMOSFETとを、具備することを特徴とする半導体装置。