Pat

J-GLOBAL ID：200903013642973355

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 白樫 衛吾
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994175470
Publication number (International publication number)：1996046094
Application date： Jul. 27, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 凹凸があったポリイミド膜形状を平坦化し、半導体装置の信頼性を向上させる。【構成】 所定の集積回路製造工程を終了した半導体チップ21と銅系合金あるいは鉄系合金からなるリードフレームのダイパッド22が銀ペーストもしくは半田接着剤や金とシリコンの共晶によって接着されている。半導体チップ21周囲に設けられた複数個のボンディングパッド23と複数個のリードフレームのインナーリード24が、外部からの信号伝達、電気的導通のために金属細線(金、銅、アルミニウム)からなるボンディングワイヤー25で接続されている。また、半導体チップ21上には平坦なポリイミド膜27が形成され、これらを一体的に封止樹脂26でモールドしている。

Claim (excerpt)：

半導体チップと、前記半導体チップの上面にポッティング法によって形成した平坦なポリイミド膜と、前記半導体チップのボンディングパッドとリードフレームのインナーリードを接続するボンディングワイヤーとを樹脂で一体的に封止した半導体装置。

IPC (5)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/50