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J-GLOBAL ID：200903013644930300

縦型MOS電界効果トランジスタ

Inventor： 山本 正徳
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992011542
Publication number (International publication number)：1993218437
Application date： Jan. 27, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】縦型MOSFETの静電耐圧(特にMIL法)を多結晶シリコン・ダイオードの内部抵抗を小さくすることにより向上させる。【構成】縦型MOSFETのゲートとソース電極間に形成されている多結晶シリコン・ダイオード部22のP領域6bのイオン注入量を1×1015cm-2以上もしくは1×1018cm-3以上にすることにより、ダイオード内部抵抗を小さくし、容易に静電耐圧を向上できる。

Claim (excerpt)：

表面にソース電極及びゲート酸化膜に形成された多結晶シリコン・ゲート電極、裏面にドレイン電極が形成された縦型MOS電界効果トランジスタにおいて、酸化膜状に不純物濃度1×1018cm-3以上の多結晶シリコンに形成されたPN接合でなる多結晶シリコン・ダイオードを有し、該多結晶シリコン・ダイオードを前記ソース電極と前記多結晶シリコン・ゲート電極との間に接続したことを特徴とする縦型MOS電界効果トランジスタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭58-151051