不揮発性強誘電体メモリ装置及びその駆動方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大塚康徳 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997363147
Publication number (International publication number)：1998188575
Application date： Dec. 15, 1997
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】動作メモリセルが1つのトランジスタ及び1つの強誘電体キャパシタで構成される不揮発性強誘電体メモリ装置及びその駆動方法を提供する。【解決手段】不揮発性強誘電体メモリ装置において、各メモリセル300はビットラインBL0,BL1の間に連結されており、アクセストランジスタ301及び強誘電体キャパシタ302で構成される。アクセストランジスタ301の第1電極は第1ビットラインBL0に連結され、第2電極は強誘電体キャパシタ302の一端に連結され、ゲートはワードラインWLに連結される。強誘電体キャパシタ302の他端は第2ビットラインBL1に連結される。読出/書込動作時には、ワードラインWLがアクティブされ、第1ビットラインBL0と第2ビットラインBL1のうち予め決められた何れか1つにデータ信号が入/出力され、残りのビットラインにプレート電圧が印加される。

Claim (excerpt)：

第1及び第2ビットラインと、ワードラインと、第1及び第2電極とゲートとを有し、第1電極が前記第1ビットラインに連結されており、ゲートが前記ワードラインに連結されているアクセストランジスタと、その一端が前記アクセストランジスタの第2電極に連結されており、他端が前記第2ビットラインに連結されている強誘電体キャパシタとを具備し、読出/書込動作時には、前記ワードラインがアクティブされ、前記第1及び第2ビットラインのうち予め決められた何れか1つにデータ信号が入出力され、残りのビットラインにプレート電圧が印加されることを特徴とする不揮発性強誘電体メモリ装置。

IPC (8)：

G11C 14/00 , G11C 11/22 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5)：

G11C 11/34 352 A , G11C 11/22 , H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

不揮発性記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-235074 Applicant：シヤープ株式会社

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