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J-GLOBAL ID：200903013669706693

集積回路構造のバイア又は接点開口用の改善された障壁層及びその製造方法

Inventor： ジョー・ダブリュー・ザオ ,  チェイハイ・ワン ,  ウィルバー・ジー・キャタベイ
Applicant, Patent owner： エルエスアイ ロジック コーポレーション
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997334230
Publication number (International publication number)：1998209081
Application date： Dec. 04, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 集積回路構造2のバイア又は接点開口12の中に形成される障壁層30の厚さ及び抵抗率を過度に増大させることなく、障壁層の下の基礎物質又は障壁層の上の充填物質の障壁層を通る拡散を阻止する。【解決手段】 通常使用される結晶質窒化チタンの代わりに非晶質物質を用いて障壁層30を形成し、これにより、窒化チタンを通る拡散経路を形成すると考えられる結晶粒界の存在を排除する。好ましい実施例においては、非晶質の障壁層は、チタン源、シリコン源及び窒素源を用いて形成される三成分系の非晶質TiSiN物質である。障壁層の抵抗率を増大させる望ましくない酸化物の形成を排除するために、上記いずれの原料物質も、酸素を含んでいない。特に好ましい実施例においては、有機物のチタン源が使用される。また、シリコン源及び窒素源の一方又は両方は、有機物のチタン源の有機物部分と反応して気体の副生物を形成することができる。この気体の副生物を蒸着チャンバから除去して、該チャンバの中又は集積回路構造2の上に炭素質物質が堆積するのを防止することができる。

Claim (excerpt)：

集積回路構造のバイア又は接点開口に使用される障壁層を形成する障壁層の形成方法であって、(a) 絶縁層がその上に設けられており、該絶縁層には1又はそれ以上のバイア又は接点開口が形成されている集積回路構造を半導体基板の上に準備する工程と、(b) 前記半導体基板をCVDチャンバの中に入れる工程と、(c) 前記チャンバの中に反応ガスを流入させる工程とを備えており、前記反応ガスは、(i)気体のチタン源と、(ii)気体のシリコン源と、(iii)気体の窒素源とを含んでおり、これにより、前記バイア又は接点開口の表面にTiSiNの障壁層を形成することを特徴とする障壁層の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/285 C ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/90 C