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J-GLOBAL ID：200903013674707240

SOIウエハ及びその製造方法

Inventor： 稲葉 英作 ,  宮川 雅文 ,  北條 顯道 ,  高橋 捷一
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社
Agent (1)： 赤野 牧子 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995195952
Publication number (International publication number)：1997022993
Application date： Jul. 06, 1995
Publication date： Jan. 21, 1997
Summary：

【要約】【目的】 表面活性層が均一且つ平坦であり、微小欠陥(BMDという)も少ない優れた特性を有するSOIウエハ及びその製造方法を提供し、その工業的実用化を図る。【構成】 表面活性層、酸化膜層、接着面及び基板ウエハにより構成され酸化膜絶縁体層上に表面活性層を有するSOIウエハにおいて、一のシリコンウエハ基板の少なくとも片面を鏡面状に研磨して鏡面表層部となして、水素及び/または不活性ガス雰囲気中で1100°C以上に加熱してガスアニール処理した後、酸化処理して形成された該鏡面表層部上の酸化膜に、他のシリコンウエハの鏡面研磨表層部とを重ね加熱して貼合わせ処理し、その後、該一のシリコンウエハ基板の非研磨表層部側を研削することを特徴とするSOIウエハの製造方法。得られるSOIウエハが、表面活性層と酸化膜絶縁体層との間に接着面を有することなく、且つ、表面活性層に微小欠陥が実質的に存在しないものである。

Claim (excerpt)：

酸化膜絶縁体層上に表面活性層を有する貼合わせSOIウエハであって、該表面活性層と該酸化膜絶縁体層との間に接着面を有することなく、且つ、該表面活性層に微小欠陥が実質的に存在しないことを特徴とするSOIウエハ。

IPC (3)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 321

FI (3)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 321 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-181115
  
• SOI基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-284009   Applicant：長野電子工業株式会社, 直江津電子工業株式会社, 信越半導体株式会社
• 特開平2-194650