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J-GLOBAL ID：200903013689041272

半導体基板搭載型二次電池

Inventor： 田中 浩治
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997102625
Publication number (International publication number)：1998284130
Application date： Apr. 04, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】小型・軽量化を達成するリチウム二次電池の提供。【解決手段】正極4および負極2および固体電解質3および配線電極5a、5bをスパッタリング法などで薄膜化する。その際、それぞれの膜厚は200〜300nmで成膜する。この方法で、シリコン基板上の厚さが約1.2ミクロンの非常に薄い電池を作成できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、薄膜化した電極と固体電解質とを有することを特徴とする半導体基板搭載型の二次電池。

IPC (4)：

H01M 10/40 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01M 4/02

FI (5)：

H01M 10/40 Z ,  H01M 4/02 C ,  H01M 4/02 D ,  H01L 27/04 F ,  H01L 27/04 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-031570
  
• 特開昭59-226472
  
• 特公平7-050617