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J-GLOBAL ID：200903013689808085
半導体レーザ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福島 祥人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994089855
Publication number (International publication number)：1995297482
Application date： Apr. 27, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：
【要約】【目的】 発振しきい値電流の上昇および端面の劣化を生じることなくアスペクト比の小さなレーザビームを出射することができる半導体レーザ装置を提供することである。【構成】 端面近傍のリッジ端部R1,R2の水平方向の幅をリッジ中央部R3の水平方向の幅よりも狭く形成することにより、リッジ中央部R3における素子抵抗を低く保ちつつ、端面における光導波路の幅を狭くする。また、n-電流ブロック層13の材料としてGaAsよりも大きなバンドキャップを有するGaInPを用いることにより、端面での光吸収を低減させる。
Claim (excerpt)：
活性層上にストライプ状の光導波路が設けられた半導体レーザ装置において、光出射側の端面近傍における前記光導波路の幅が前記光導波路の残りの領域における幅よりも狭く形成されたことを特徴とする半導体レーザ装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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