薄膜コンデンサ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井内龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995046747
Publication number (International publication number)：1996241830
Application date： Mar. 07, 1995
Publication date： Sep. 17, 1996
Summary：

【要約】【構成】絶縁性基板20上に下部電極層13が形成され、下部電極層13の一部に薄膜誘電体層14及び上部電極層16が順次積層形成され、上部電極層16及び上部電極層16が形成されていない下部電極層13部分を含む部分に、上部電極層16及び下部電極層13に達する凹部23を有する保護膜17が被覆形成され、凹部23から半田バンプ19が突出形成されている薄膜コンデンサ。【効果】薄膜コンデンサを高静電容量化、小型化、及び軽量化することができ、また、配線基板との接続端子の距離を短くすることができ、インダクタンスの小さい薄膜コンデンサを提供することができる。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に下部電極層が形成され、該下部電極層の一部に薄膜誘電体層及び上部電極層が順次積層形成され、該上部電極層及び該上部電極層が形成されていない前記下部電極層部分を含む部分に、前記上部電極層及び前記下部電極層に達する凹部を有する保護膜が被覆形成され、前記凹部から半田バンプが突出形成されていることを特徴とする薄膜コンデンサ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭58-115843
薄膜コンデンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-239400 Applicant：株式会社東芝
特開平2-222123

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