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J-GLOBAL ID：200903013698990139

表示パネル用半導体装置及びその製造方法

Inventor： 野田 和宏 ,  門田 久志 ,  中村 真治 ,  林 久雄
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 鈴木 晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994023155
Publication number (International publication number)：1995209670
Application date： Jan. 24, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 表示パネル用半導体装置に集積形成される薄膜トランジスタの簡便且つ効率的な遮光構造を提供する。【構成】 透明絶縁基板1の表面2側には、画素電極3を含む画素領域と各画素電極3を駆動する薄膜トランジスタ4を含む非画素領域とが集積的に形成されている。画素電極3の属する上層と薄膜トランジスタ4の属する下層との間に平坦化層10が介在している。平坦化層10は感光性を有する光吸収剤を含有している。この光吸収剤は画素領域において裏面11側から選択的に露光処理され分解して平坦化層を透明化する。一方、非画素領域においてそのまま保存され平坦化層10に遮光機能を付与している。

Claim (excerpt)：

画素電極を含む画素領域と各画素電極を駆動する薄膜トランジスタを含む非画素領域とが集積的に形成された透明絶縁基板からなり、平坦化層が画素電極の属する上層と薄膜トランジスタの属する下層との間に介在しており、前記平坦化層は感光性を有する光吸収剤を含有しており、該光吸収剤は画素領域において選択的に露光処理され該平坦化層を透明化する一方、非画素領域においてそのまま保存され該平坦化層に遮光機能を付与する事を特徴とする表示パネル用半導体装置。

IPC (2)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786