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J-GLOBAL ID：200903013703197752

化合物半導体結晶の気相エピタキシャル成長方法

Inventor： 目黒 健 ,  坂口 春典
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993234908
Publication number (International publication number)：1995094422
Application date： Sep. 21, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】高濃度炭素ドープp型GaAs層を成長する際に、成長速度を変化させることなく炭素濃度を独立に制御できるようにする。【構成】気相エピタキシャル法により、III 族原料ガス及びV族原料ガスを供給して熱分解反応で結晶成長用基板上にGaAs化合物半導体をエピタキシャル成長させる。III 族原料にTEG、V族原料にTMAsやTEAs等の有機金属化合物、炭素のドーパントとしてTMGをそれぞれ用いる。成長温度及び成長圧力条件として、TEGとV族原料を用いたGaAs成長が輸送律速であること、TMGと上記V族原料を用いたGaAs成長においてキャリア濃度が少なくとも1×1020cm-3以上となること、TMGとV族原料を用いたGaAsの成長速度がIII 族輸送律速時の成長速度に比べ1/10以下となることが要件である。具体的には成長温度が350°C〜475°C、圧力が13.3×103 Pa以下である。

Claim (excerpt)：

反応管内に設置した結晶成長用基板を加熱し、反応管にIII 族原料ガス及びV族原料ガスを供給して、結晶成長用基板上にIII -V族化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させる化合物半導体結晶の気相エピタキシャル成長方法において、炭素をドーピングしてp型III -V族化合物半導体結晶層を成長する際に、III 族原料にトリエチルガリウム(TEG)等の炭素数が少なくとも2以上のアルキル基及びアリール基がついたGa系有機金属化合物を用い、V族原料にトリメチル砒素(TMAs)やトリエチル砒素(TEAs)等のアルキル基及びアリール基がついたAs系有機金属化合物またはアルシン等のAs水素化物を用い、炭素原料としてトリメチルガリウム(TMG)を用い、前記TMGの流量を調節することにより炭素のドーピング濃度を制御することを特徴とする化合物半導体結晶の気相エピタキシャル成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/40 502