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J-GLOBAL ID：200903013715539314

光学活性非対称ジホスフィン化合物及び該化合物を配位子とする遷移金属錯体

Inventor： 佐用 昇 ,  張 小勇 ,  大本 達也 ,  横澤 亨 ,  山崎 哲郎 ,  雲林 秀徳
Applicant, Patent owner： 高砂香料工業株式会社
Agent (1)： 渡辺 一雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995206696
Publication number (International publication number)：1997031084
Application date： Jul. 21, 1995
Publication date： Feb. 04, 1997
Summary：

【要約】【構成】 下記の一般式(I)【化1】(式中、Ar1 及びAr2 は、それぞれ異なり、フェニル基、置換フェニル基、低級アルキル基又は低級アルコキシ基で置換されていてもよいナフチル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、フルフリル基、ベンゾフルフリル基、チエニル基、又はベンゾチエニル基を示す。)で表される非対称ジホスフィン化合物、並びに、上記非対称ジホスフィン化合物と、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、パラジウム及びニッケルなどの遷移金属より選ばれる遷移金属-非対称ジホスフィン錯体。【効果】 本発明の非対称ジホスフィン化合物である2,2’-ビス(ジ置換ホスフィノ)-1,1’-ビナフチル化合物は、新規化合物である。上記化合物と遷移金属との錯体は、種々の不斉合成反応、例えば、不斉水素化反応、不斉ヒドロシリル化反応などの触媒として、選択性、反応転化率、触媒活性などの面で優れた性能を示すことができる。また、所望の絶対配置の目的物を高い光学純度で高収率で製造することができる。

Claim (excerpt)：

一般式(I)【化1】(式中、Ar1 及びAr2 は、それぞれ異なり、フェニル基、置換フェニル基(該置換基は1〜5個置換され、それぞれの置換基は同一又は異なっていてもよく、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ジ低級アルキルアミノ基、ハロゲン化低級アルキル基、及びフェニル基から成る群から任意に選ばれる。)、低級アルキル基又は低級アルコキシ基で置換されていてもよいナフチル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、フルフリル基、ベンゾフルフリル基、チエニル基、又はベンゾチエニル基を示す。)で表される非対称ジホスフィン化合物。

IPC (6)：

C07F 9/50 ,  B01J 31/24 ,  C07F 9/53 ,  C07F 15/00 ,  C07F 15/04 ,  C07M 7:00

FI (5)：

C07F 9/50 ,  B01J 31/24 Z ,  C07F 9/53 ,  C07F 15/00 ,  C07F 15/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 不斉還元方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-114776   Applicant：エフ・ホフマン-ラロシユアーゲー
• 不斉水素化
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-168371   Applicant：エフ・ホフマン-ラロシユアーゲー