Pat

J-GLOBAL ID：200903013716929400

静電容量型近接センサ

Inventor： 木谷 敏樹 ,  松岡 靖
Applicant, Patent owner： オムロン株式会社
Agent (1)： 岡本 宜喜 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997192192
Publication number (International publication number)：1999040021
Application date： Jul. 17, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】 静電容量型近接センサにおいて、発振回路の内部に発振調整用素子を設けることなく発振条件を変化させること。【解決手段】 発振回路に検出電極1を接続し、物体の近接によって発振条件が変化するよう構成する。発振出力を積分回路4,弁別回路5によって弁別し、論理処理回路6によって物体検知信号として出力回路7より出力する。発振回路11へ供給する電圧によって物体までの検出距離が変化するため、発振回路11に電圧可変回路12を介して電圧を供給する。そして供給する電圧を調整することによって感度調整を行うことができる。

Claim (excerpt)：

検出電極と、前記検出電極と回路電源間との容量に応じた発振をする発振回路と、前記発振回路の発振状態を検出する信号処理回路と、を有する静電容量型近接センサにおいて、前記発振回路に供給する電圧を変化させることによって感度を調整する電圧可変回路と、を具備することを特徴とする静電容量型近接センサ。