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J-GLOBAL ID：200903013730924623

薄膜形成装置

Inventor： 古森 秀樹 ,  小坂 宣之 ,  吉田 和夫 ,  佐々木 茂雄 ,  ▲高▼浜 亨 ,  中原 武彦 ,  越中 昌夫
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992054964
Publication number (International publication number)：1993259092
Application date： Mar. 13, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ウエハへのダスト付着量が少なく均一な膜厚を提供することのできる薄膜形成装置を提供することを目的とする。【構成】 反応室2と、反応室にガスを供給するガス供給口10と、反応室から反応ガスを排気する排気口3と、反応室内にウエハを固定する真空チャック6と、ウエハを加熱するヒーター5と、ウエハに臨んで設けられたガス供給ヘッド8aとを備え、該ガス供給ヘッドが多管構造をなす薄膜形成装置。【効果】 ウエハへのダスト付着量が少なく均一な膜厚を提供することができる。

Claim (excerpt)：

反応室と、反応室にガスを供給するガス供給口と、反応室から反応ガスを排気する排気口と、反応室内にウエハを固定するウエハ保持手段と、ウエハ加熱手段と、ウエハに臨んで設けられたガス供給ヘッドとを備え、該ガス供給ヘッドが多管構造をなすことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/52