不揮発性半導体記憶装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993178319
Publication number (International publication number)：1995037395
Application date： Jul. 19, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】書き込み時間の増大を招くことなく、しきい値分布の狭小化を図れる不揮発性半導体記憶装置を実現する。【構成】メモリセルトランジスタのフローティングゲートへ電荷を注入してデータの書き込みを実行する際に、たとえば書き込みパルス幅(または電圧、あるいは両者)を変化させて、複数回に亘って注入電荷量を制御する。これにより、書き込み後のしきい値の分布を小さくする。

Claim (excerpt)：

メモリセルトランジスタに電荷を注入してデータの書き込みを行う不揮発性半導体記憶装置であって、電荷量を複数回に亘って変化させてメモリセルトランジスタに電荷を注入する書込条件可変手段を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平1-159895
特開昭56-114199
特開平2-193398

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