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J-GLOBAL ID：200903013747522847

薄膜形成方法及びその形成装置

Inventor： 石橋 暁 ,  清田 淳也 ,  杉浦 功 ,  新井 真
Applicant, Patent owner： 株式会社アルバック
Agent (1)： 北村 欣一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000325548
Publication number (International publication number)：2002129307
Application date： Oct. 25, 2000
Publication date： May. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】基板上の有機膜とSiO2膜の界面で良好な密着性が簡単な構成で得られる薄膜形成方法と装置を提供し、SiO2膜を高い析出速度で形成しSiO2膜上に低抵抗のITO膜を形成する。【解決手段】有機膜を形成した基板の表面のプラズマ処理とSiO2膜のスパッタ成膜処理を同一のカソードを用いて処理する。該同一のカソードは、石英ターゲットと、これとの距離調整が可能なマグネトロン放電用の磁石とを有して高周波電源に接続され、該表面のプラズマ処理を、該距離調整により電子を拘束しない磁場強度を調整してコンベンショナル高周波放電により行い、該SiO2膜のスパッタ成膜処理を、該距離調整により電子を拘束する磁場強度に調整して高周波マグネトロン放電により行う。

Claim (excerpt)：

カラーフィルターなどの有機膜を形成した基板に対し、真空中で、該有機膜の表面のプラズマ処理と、該表面へのSiO2膜スパッタ成膜処理と、ITO膜のスパッタ成膜処理を連続的に処理する方法に於いて、該表面のプラズマ処理とSiO2膜のスパッタ成膜処理を同一のカソードを用いて処理することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (4)：

C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  H01B 13/00 503 ,  G02F 1/1333 500

FI (4)：

C23C 14/06 P ,  C23C 14/34 N ,  H01B 13/00 503 B ,  G02F 1/1333 500

F-Term (17)：

2H090HB07X ,  2H090HC16 ,  4K029AA09 ,  4K029BA46 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC35 ,  4K029DC40 ,  4K029EA00 ,  4K029FA05 ,  4K029FA07 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05