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J-GLOBAL ID：200903013751810504

ポジ型レジスト溶液

Inventor： 大野 勇人 ,  加藤 哲也 ,  新倉 聡 ,  高橋 浩一 ,  小原 秀克 ,  中山 寿昌
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 阿形 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993175710
Publication number (International publication number)：1995036181
Application date： Jul. 15, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【構成】 (A)アルカリ可溶性樹脂、(B)キノンジアジド基含有化合物及び(C)(A)成分と(B)成分の合計量に基づき0.001〜0.1重量%の範囲の量の、一般式【化1】(式中のR1は水素原子又は低級アルキル基、R2は水素原子、低級アルキル基又は低級アルコキシ基を示す)で表わされるフェノール系化合物を、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートに溶解して成るポジ型レジスト溶液である。【効果】 レジストの感光性成分の析出や、感度及び粘度の経時変化がなく、保存安定性に優れ、かつ高解像度でデフォーカスマージンが広く実用的で、特に半導体素子製造用に好適である。

Claim (excerpt)：

(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)キノンジアジド基含有化合物及び(C)(A)成分と(B)成分の合計量に基づき0.001〜0.1重量%の範囲の量の、一般式【化1】(式中のR1は水素原子又は低級アルキル基、R2は水素原子、低級アルキル基又は低級アルコキシ基を示す)で表わされるフェノール系化合物を、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートに溶解して成るポジ型レジスト溶液。

IPC (3)：

G03F 7/022 ,  G03F 7/004 502 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平4-278952
  
• 特開平2-018562
  
• 特開平1-133045
  
• 特開昭63-218946
  
• 特開昭61-007837
  
• ポジ型ホトレジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-283579   Applicant：東京応化工業株式会社