半導体装置用リードフレーム

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：綿貫隆夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993015538
Publication number (International publication number)：1994232311
Application date： Feb. 02, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】熱工程を経てもはんだ付け性が損なわれない。【構成】ほう素、リン、ひ素、セレン、テルル、アンチモンから選ばれる1種以上の元素を含むパラジウムめっき被膜が少なくともアウターリードに形成されていることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

ほう素、リン、ひ素、セレン、テルル、アンチモンから選ばれる1種以上の元素を含むパラジウムめっき被膜が少なくともアウターリードに形成されていることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。

IPC (3)：

H01L 23/50 , C25D 7/12 , C25D 3/50 102

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開平4-073958
特開平3-090589
特開昭63-111194

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