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J-GLOBAL ID：200903013754431253

半導体発光装置

Inventor： 堂免 恵
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991284419
Publication number (International publication number)：1993121827
Application date： Oct. 30, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体発光装置に関し、半導体結晶に於けるドーピング効率の面方位依存性を利用する極めて簡単な技術を適用することで、活性層に於ける活性領域の両側に自己整合的に電流狭窄構造を作り込むようにする。【構成】 メサ11Aをもったp型GaAs基板11の上に順に形成され且つメサ頂面に(100)面が表出されていると共にメサ側面に(311)面が表出されているp型AlGaInPクラッド層14及びMQW活性層15及びn型AlGaInPクラッド層16と、MQW活性層15の(311)面にp型AlGaInPクラッド層14から不純物を取り込みMQWを混晶化して得られたMQW無秩序化領域17とを備えてなり、MQW無秩序化領域17でMQW活性層15に於ける電流狭窄並びに光閉じ込めを行う。

Claim (excerpt)：

メサをもつ形状基板上に順に積層され且つメサ頂面に不純物が取り込まれ難い面指数の面が表出されていると共にメサ側面に不純物が取り込まれ易い面指数の面が表出されている一導電型クラッド層及び多重量子井戸活性層及び反対導電型クラッド層と、前記多重量子井戸活性層に於けるメサ側面の不純物が取り込まれ易い面指数の面に前記一導電型クラッド層或いは反対導電型クラッド層の何れか一方から不純物が拡散されて多重量子井戸が混晶化されてなる多重量子井戸無秩序化領域とを備えて前記多重量子井戸無秩序化領域にて前記多重量子井戸活性層に於ける電流狭窄並びに光閉じ込めを行うことを特徴とする半導体発光装置。