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J-GLOBAL ID：200903013759860764

素子分離の形成方法

Inventor： 清水 紀智 ,  内藤 康志 ,  広藤 裕一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993306198
Publication number (International publication number)：1994232119
Application date： Dec. 07, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 トランジスタの素子分離を形成する際に、トランジスタの閾値を適正に維持しながら、バーズビークの長さを短縮する。【構成】 シリコン基板101 上に、第1下敷酸化膜102 ,ポリシリコン膜103 ,及び第1シリコン窒化膜104 を順次形成し、さらにフォトレジスト105 をマスクとして第1シリコン窒化膜104 ,ポリシリコン膜103 ,第1下敷酸化膜102 及び素子分離領域となる部位のシリコン基板を、バーズビークの長さと電界効果型トランジスタの閾値とが適正となる程度の深さ(素子分離用酸化膜の厚みの1/3以下)だけエッチングする。第2下敷酸化膜107 、第2シリコン窒化膜108 を形成した後、窒化膜サイドウォール109 を形成する。そして、窒化膜をマスクとして選択的酸化により素子分離用酸化膜110 を形成する。これにより、DRAMセルパターンでは長さ 0.2μm以下の分離形成が可能となった。

Claim (excerpt)：

シリコン基板の表面領域に、電界効果型トランジスタが形成される活性領域を他の領域から分離するための素子分離を形成する方法であって、シリコン基板を酸化して第1下敷酸化膜を形成する工程と、上記第1下敷酸化膜上にシリコン膜を形成する工程と、上記シリコン膜上に第1シリコン窒化膜を形成する工程と、素子分離領域に対応する部位が開口されたパターンのマスクを用いて、上記第1シリコン窒化膜、シリコン膜、第1下敷酸化膜及びシリコン基板をエッチングして、シリコン基板の素子分離を形成しようとする部位を、形成しようとする素子分離用酸化膜に発生するバーズビークの侵入距離と形成しようとする電界効果型トランジスタのしきい値の低下とが適正範囲になるような深さまで除去する工程と、上記シリコン基板及びシリコン膜を酸化し、その表面部に第2下敷酸化膜を形成する工程と、上記第2下敷酸化膜を形成した基板の全面に第2シリコン窒化膜を形成する工程と、少なくとも上記素子分離領域の第2シリコン窒化膜を除去し、第1シリコン窒化膜の側部,シリコン膜の側部及びシリコン基板の段差部の側部に第2シリコン窒化膜からなるシリコン窒化膜サイドウォールを残すよう異方性エッチングを行う工程と、第1シリコン窒化膜ならびに第2シリコン窒化膜をマスクとし、上記シリコン基板を選択的に酸化して素子分離用酸化膜を形成する工程とを有することを特徴とする素子分離の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/108

FI (2)：

H01L 21/94 A ,  H01L 27/10 325 S