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J-GLOBAL ID:200903013763723143

化学増幅ポジ型レジスト材料

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小島 隆司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996104590
Publication number (International publication number):1997274320
Application date: Apr. 02, 1996
Publication date: Oct. 21, 1997
Summary:
【要約】 (修正有)【解決手段】 (A)有機溶剤、(B)ベース樹脂として式(1)で示される重量平均分子量が3,000〜300,000である高分子化合物、(C)酸発生剤、(D)分子内にビニルエーテル基を2つ以上有する化合物を含有してなる化学増幅ポジ型レジスト材料。【効果】 化学増幅ポジ型レジスト材料として高エネルギー線、特にKrFエキシマレーザー及びX線に感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性にも優れている。
Claim (excerpt):
(A)有機溶剤(B)ベース樹脂として下記一般式(1)で示される重量平均分子量が3,000〜300,000である高分子化合物【化1】【化2】(C)酸発生剤(D)分子内にビニルエーテル基を2つ以上有する化合物を含有してなることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。
IPC (6):
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027
FI (6):
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/30 502 R

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