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J-GLOBAL ID：200903013765229898

光半導体装置

Inventor： 青木 豊 ,  谷川 聡
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991360709
Publication number (International publication number)：1993183075
Application date： Dec. 27, 1991
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 内部応力が小さく、しかも低応力性に優れた光半導体装置を提供する。【構成】 下記の(A)〜(C)成分を含み、(C)成分であるシリカ系粒子と、(A)および(B)成分を主体とするエポキシ樹脂硬化体の屈折率との差が±0.01の範囲に設定されているエポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止する。(A)透明性エポキシ樹脂。(B)硬化剤。(C)表面が平滑なシリカ系粒子。

Claim (excerpt)：

下記の(A)〜(C)成分を含み、(C)成分であるシリカ系粒子と、(A)および(B)成分を主体とするエポキシ樹脂硬化体の屈折率との差が±0.01の範囲に設定されているエポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置。(A)透明性エポキシ樹脂。(B)硬化剤。(C)表面が平滑なシリカ系粒子。

IPC (3)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 23/30 F ,  H01L 23/30 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭49-023847
  
• 特開昭63-014457
  
• 特開昭62-081072
  
• 特開昭62-108583