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J-GLOBAL ID：200903013766887082
誤り訂正回路を備えた不揮発性メモリ装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高月 猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993013896
Publication number (International publication number)：1993298895
Application date： Jan. 29, 1993
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】より信頼性の高い誤り訂正動作を行える不揮発性メモリ装置の提供。【構成】メモリアレイ100とカラムゲート120との間にページバッファ900及び分離手段600を設けるようにし、ページバッファ900とカラムゲート120とを直接的に接続すると共に、メモリアレイ100のビット線とページバッファ900との間の接続を分離手段600で制御する。したがって、入力データをページバッファにローディングする場合やローディングされたデータを利用してパリティデータを発生してランダムに書込みを行う場合に、メモリデータ及びパリティデータはビット線を介することなく伝送されるようになるので、ビット線やビット線に接続されたメモリセルの欠陥による間違ったデータが発生することがなくなり、信頼性の高い誤り訂正動作を実行できる。
Claim (excerpt)：
多数のビット線と、該ビット線に接続された多数のメモリセル及びパリティセルを有するメモリアレイと、カラムゲートとを有し、データを相当するページバッファにローディングし、該データの複数バイト単位に対応させて複数のビットで構成されたパリティデータを発生し、該パリティデータをページバッファにランダムに貯蔵する誤り訂正回路を備えた不揮発性メモリ装置において、ページバッファは、ビット線とカラムゲートとの間に設けられていることを特徴とする不揮発性メモリ装置。
IPC (2)：
G11C 16/06
, G11C 29/00 302
