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J-GLOBAL ID：200903013768106550

差動増幅回路

Inventor： 工藤 良太郎 ,  曽我 高志 ,  飯島 大輔 ,  工藤 勝美
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社
Agent (1)： 大日方 富雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994172925
Publication number (International publication number)：1996037431
Application date： Jul. 25, 1994
Publication date： Feb. 06, 1996
Summary：

【要約】【目的】 差動増幅回路の同相入力電圧範囲を拡大させ、電源電圧の利用効率の向上および入力信号のダイナミックレンジ拡大を行う。【構成】 トランジスタ差動回路の反転入力側および非反転入力側にデプレッション型のMOSトランジスタによるソースフォロワ回路を入力バッファ回路としてそれぞれ介在させるとともに、各MOSトランジスタのしきい値電圧をゲート入力電圧の変化に伴う基板バイアス効果によって変化させる。【効果】 基板バイアス効果によるしきい値電圧の変化により、基準電位から電源電位までの全域でリニア動作することができる。

Claim (excerpt)：

トランジスタ差動回路の反転入力側および非反転入力側にデプレッション型のMOSトランジスタによるソースフォロワ回路を入力バッファ回路としてそれぞれ介在させるとともに、各MOSトランジスタのしきい値電圧をゲート入力電圧の変化に伴う基板バイアス効果によって変化させることにより、各MOSトランジスタの同相入力範囲を拡大させるようにしたことを特徴とする差動増幅回路。

IPC (2)：

H03F 3/45 ,  H03F 1/02