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J-GLOBAL ID：200903013773972869

強誘電体結晶薄膜被覆基板、その製造方法及び強誘電体結晶薄膜被覆基板を用いた強誘電体薄膜デバイス

Inventor： 佐藤 咲子 ,  松永 宏典 ,  中西 健司 ,  増田 義行 ,  木場 正義
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993350258
Publication number (International publication number)：1995202295
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【構成】 半導体単結晶基板の上に形成された電極上に、バッファ層を介してBi4 Ti3 O12からなる酸化物強誘電体結晶薄膜が形成されている強誘電体結晶薄膜被覆基板。【効果】 酸化物強誘電体結晶薄膜の単層では得られなかった、緻密かつ滑らかな酸化物強誘電体結晶薄膜を得ることができる。つまり、異方性の強い層状ペロブスカイト構造を持つ酸化物強誘電体結晶薄膜に対して、等方性のパイロクロア構造を持つ酸化物結晶薄膜をバッファ層として用いると、その上に形成される酸化物強誘電体結晶薄膜の結晶粒を微小化することができ、表面平滑化が可能となる。

Claim (excerpt)：

半導体単結晶基板の上に形成された電極上に、バッファ層を介してBi4 Ti3 O12からなる酸化物強誘電体結晶薄膜が形成されていることを特徴とする強誘電体結晶薄膜被覆基板。

IPC (5)：

H01L 49/02 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 41/18

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 41/18 101 Z